Broadcom BCM85657 是一款高性能的 PCIe Gen5 和 CXL 2.0 重定時器,支持高達 32 GT/s 的數(shù)據(jù)速率,兼容多種 PCIe 和 CXL 版本,適用于數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級計算。
PDI O08系列時鐘振蕩器,尺寸13x13x5.6毫米,DIP8封裝,頻率0.03至200 MHz,支持TTL/CMOS等多種輸出,頻率穩(wěn)定性±25至100 ppm,工作溫度0至+125°C,供電電壓1.8至5.0V,適用于原型及大規(guī)模生產(chǎn)。
IRF3205PBF是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝,耐壓55V,適用于直流電機、逆變器等應(yīng)用。具有高電流能力(110A),低導(dǎo)通電阻(8 mΩ),工作溫度范圍廣(-55°C至175°C),符合JEDEC標準,易于替換。
Lattice LFE2M35E-7FN484C是一款90nm工藝的FPGA,具備303個I/O、34000個LUT和32個乘法器,適用于數(shù)據(jù)通信和工業(yè)自動化等高性能應(yīng)用。
R5F12068MSP#30是Renesas的RL78/G15系列低功耗微控制器,支持2.4至5.5V電壓,具備4至8KB閃存和1KB RAM,操作頻率達20MHz,適用于家電和便攜設(shè)備。
Holt HI-1565 和 HI-1566 是低功耗 CMOS 雙收發(fā)器,符合 MIL-STD-1553/1760 規(guī)范,具有卓越的 ESD 性能和靈活的控制選項。適用于 MIL-STD-1553 接口、智能彈藥等應(yīng)用。
MTI-milliren 221系列OCXO是一款高性能表面貼裝振蕩器,專為低功耗和空間受限應(yīng)用設(shè)計。尺寸緊湊,符合Stratum III和IIIe標準,熱穩(wěn)定性高,相位噪聲性能優(yōu)異,支持定制頻率、穩(wěn)定性和溫度范圍,適用于多種通信和精密計時應(yīng)用。
105883AK-1反激式變壓器,由VANGUARD ELECTRONICS生產(chǎn),適用于反激式轉(zhuǎn)換應(yīng)用。特點包括:電感3.30uH±5%,漏感0.5uH,直流電阻6mOHMS,絕緣電壓1000VAC,尺寸0.8×0.65×0.5英寸,重量約10克,適用于商業(yè)級以上環(huán)境。
Solitron 2N4859、2N4860和2N4861是N溝道JFET,符合軍用標準,具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)和高隔離性能。支持耐輻射和多種溫度范圍。
ARIZONA Capacitors W90523PVC管狀電容器,電壓3kV至250kV DC,電容最大2.000 μf,公差±10%,絕緣電阻25-50k ΩF,耗散因數(shù)<0.6%,多種外殼材料,操作溫度-55°C至125°C,符合ISO 9001:2015和MIL-STD-202標準。
Interpoint的FMCE-0528 EMI濾波器專為28V應(yīng)用設(shè)計,符合MIL-STD-461標準,適用于軍事和航空航天領(lǐng)域。它支持5A電流,500kHz時衰減60dB,工作溫度范圍-55°C至+125°C,并具有低直流電阻和小尺寸封裝特點。此外,它與Interpoint的多個DC/DC轉(zhuǎn)換器系列兼容,能有效減少輸入紋波電流。
Bliley Technologies的BOVSP-XXXMXX-XXXX OCXO是一款高精度恒溫晶體振蕩器,適用于高穩(wěn)定性和高精度應(yīng)用。其頻率范圍為5.00至100 MHz,具有優(yōu)異的頻率老化和相位噪聲性能。該產(chǎn)品支持寬工作溫度范圍(-40°C至+85°C),適用于高頻控制、微波應(yīng)用和緊密時序控制等領(lǐng)域。
Linear Systems 3N163和3N164是高性能p溝道MOSFET,具有高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、快速切換和低電容特性,適用于電子電路。提供TO-72和SOT-143封裝。
QTCH500HCD9M-20.000MHz高溫晶振由Q-Tech公司生產(chǎn),是一款高精度石英晶體振蕩器,采用雙列直插(DIP)形式,封裝在DIP-8配置的金屬通孔封裝中。頻率范圍從1MHz到48MHz,供電電壓從1.8Vdc到5.0Vdc,該晶振適用于廣泛的軍用時鐘應(yīng)用,包括智能彈藥、導(dǎo)航、工業(yè)控制、微控制器驅(qū)動程序以及井下溫度可達+200oC的環(huán)境。
VY1222M47Y5UQ6TV0是一款由VISHAY生產(chǎn)的高頻陶瓷圓片電容器,電容值0.0022uF,公差±20%,采用徑向端接,引線直徑0.6毫米,間距10毫米。設(shè)計由兩面鍍銀的陶瓷盤組成,連接引線為鍍錫銅包鋼,封裝為阻燃環(huán)氧樹脂,符合UL 94 V-o標準。符合IEC 60384-14標準,適用于X1和Y1類安全電容器,主要用于行對行濾波、線路對地濾波、主輔耦合、EMI/RFI抑制和濾波等。
SD11720是一款SiC N溝道功率MOSFET,由Solitron Devices, Inc.推出,專為高效率和可靠性的功率電子應(yīng)用設(shè)計。采用先進的碳化硅技術(shù),提供卓越的電氣和熱性能,適用于工業(yè)和能源應(yīng)用。主要特點包括58A漏極電流、50mΩ導(dǎo)通狀態(tài)電阻和TO-247-3塑料封裝。優(yōu)勢包括低導(dǎo)通電阻的高阻斷電壓、低電容的高速開關(guān)、高工作結(jié)溫能力(高達175°C)和較強的內(nèi)置體二極管性能。應(yīng)用領(lǐng)域包括太陽能逆變器、不間斷電源、電機驅(qū)動器、高電壓直流/直流轉(zhuǎn)換器和開關(guān)模式電源。SD11720的高性能和廣泛應(yīng)用使其成為功率電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組件,滿足現(xiàn)代系統(tǒng)對高效率和高可靠性的要求。
PmT-NSN-225-400MHz UHF放大器是一款高性能放大器,專為225-400MHz頻率范圍設(shè)計,適用于無線通信和雷達系統(tǒng)。主要特點包括低噪聲系數(shù)、密封模塊設(shè)計、寬帶性能、優(yōu)異的單位可重復(fù)性和寬工作溫度范圍(-50°C到100°C)。典型電氣規(guī)格包括225-400 MHz頻率、+28.0V集電極供電、+5.1 V偏置供電、1.0Amp集電極供電電流、30-42 dB功率增益、<7dB增益變化、> +34 dBm 1 dB增益壓縮、>87 %上調(diào)制、<-80 dBc雜散、3:1 Max輸入VSWR、-25°C到70°C工作溫度和-55°C到125°C存儲溫度。應(yīng)用領(lǐng)域包括無線通信系統(tǒng)、雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、廣播電視等,其優(yōu)異性能和可靠性使其成為這些應(yīng)用中的理想選擇。
Ampleon的BLP05H6350XRG是一款高性能LDMOS功率晶體管,專為HF至600 MHz頻段的廣播和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計,具有350瓦標稱輸出功率。特點包括輕松電源控制、集成ESD保護、出色堅固性、高效率(75%漏極效率)、優(yōu)異熱穩(wěn)定性、寬帶工作設(shè)計,并符合RoHS指令。應(yīng)用領(lǐng)域包括工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療設(shè)備,以及廣播發(fā)射機。技術(shù)規(guī)格包括10600 MHz頻率范圍、350 W P1dB、脈沖射頻測試信號、26.5至27.5 dB功率增益、-10 dB輸入回波損耗和71至75%漏極效率。
Rogers的RO4360?高頻層壓板專為高頻放大器設(shè)計,具有優(yōu)異的6.15介電常數(shù)和0.003損耗因子,采用陶瓷填充和玻璃纖維增強,符合環(huán)保標準,兼容標準PCB加工,具有280oC高Tg和30 PPM/oC低CTE,確保多層電路可靠性。適用于高頻應(yīng)用如功率放大器和貼片天線,支持無鉛工藝,為特定設(shè)計需求提供解決方案。
CY62128ELL-45SXIT 是 Cypress 公司生產(chǎn)的高性能 CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)芯片,具有45 ns訪問速度,工作溫度范圍為-40 °C 至 +85 °C(工業(yè)級)和-40 °C 至 +125 °C(汽車級E),電壓供應(yīng)為4.5 V 至 5.5 V,與CY62128B系列芯片引腳兼容,低功耗(待機電流典型值1 μA,工作電流典型值1.3 mA),支持存儲擴展和自動斷電,采用CMOS工藝和環(huán)保封裝。該芯片組織為128K字×8位,適用于便攜式設(shè)備、工業(yè)控制系統(tǒng)、汽車電子和通信設(shè)備等應(yīng)用。
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