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650V CoolMOS? CFD7 SJ功率MOSFET集成了快速體二極管，是諧振高功率拓撲結構的理想選擇
英飛凌的650V CoolMOS? CFD7 超結 MOSFET采用 TO-65 封裝的 IPP090R7CFD220 非常適合工業(yè)應用中的諧振拓撲結構，例如服務器,電信,太陽的和電動汽車充電站，與競爭對手相比，它可以顯著提高效率。作為CFD2 SJ MOSFET半導體場效應管系列，它具有更低的柵極電荷、改進的關斷行為和更低的反向恢復電荷，可實現(xiàn)最高的效率和功率密度以及額外的 50V 擊穿電壓。
訂購信息：
| Type / Ordering Code | Package | Marking | Related Links |
| IPP65R090CFD7 | PG-T0220-3 | 65R090F7 | see Appendix A |
功能概要
超快體二極管和極低的 Q 值RR型
650V擊穿電壓
與競爭產品相比，開關損耗顯著降低
最低 RDS(開)與溫度的關系
好處
出色的硬換向堅固性
為總線電壓增加的設計提供額外的安全裕度
提高功率密度
在工業(yè)SMPS應用中具有出色的輕載效率
提高工業(yè)SMPS應用中的滿載效率
與市場上的替代產品相比，價格競爭力
潛在應用
電動汽車快速充電
服務器電源
太陽能系統(tǒng)解決方案
電信基礎設施
Parametrics
| Parametrics | IPP65R090CFD7 |
|---|---|
| ID (@25°C) max | 25 A |
| ID max | 25 A |
| IDpuls max | 107 A |
| Mounting | THT |
| Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 127 W |
| Package | TO-220 |
| Pin Count | 3 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 53 nC |
| QG | 53 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 90 m? |
| RDS (on) max | 90 m? |
| VDS max | 650 V |
| VGS(th) min max | 4 V 3.5 V 4.5 V |
