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　　1N6101是一款低電容二極管陣列，由多個獨立的隔離結(jié)構(gòu)成，采用平面工藝制造，并封裝在16引腳的DIP(雙列直插式封裝)中。這些二極管用于保護(hù)多達(dá)八個I/O端口免受ESD(靜電放電)、EFT(電快速瞬變)或浪涌的影響，通過將它們導(dǎo)向電源線的正極或接地?？梢栽谕饨覶VS(瞬態(tài)電壓抑制)二極管以防止電源線上的過電壓。此外，它們也可用于快速開關(guān)核心驅(qū)動器應(yīng)用，包括計算機和外圍設(shè)備，如磁芯、薄膜存儲器、鍍線存儲器等，以及解碼或編碼應(yīng)用。這些陣列提供了集成電路的許多優(yōu)勢，如高密度封裝和提高的可靠性，這是由于減少的放置操作、更小的占用空間、更輕的重量以及消除了各種可能不利于PCB安裝的離散封裝。

　　特點：

　　密封陶瓷封裝

　　隔離二極管以消除串?dāng)_電壓

　　高擊穿電壓VBR > 75V在5μA時

　　低漏電流IR < 100nA在40V時

　　低電容C < 4.0pF

　　開關(guān)速度小于10納秒

　　根據(jù)MIL-PRF-19500/474提供JAN、JANTX、JANTXV等篩選選項

　　應(yīng)用/優(yōu)點：

　　高頻數(shù)據(jù)線

　　RS-232和RS-422接口網(wǎng)絡(luò)

　　以太網(wǎng)：10 Base T

　　計算機I/O端口

　　局域網(wǎng)(LAN)

　　開關(guān)核心驅(qū)動器　　

　　最大額定值：

　　反向擊穿電壓：75V

　　連續(xù)正向電流：300mA直流電

　　峰值浪涌電流(tp=1/120秒)：500mA直流電

　　每個結(jié)點400mW功率耗散@25°C

　　每個封裝600mW功率耗散@25°C

　　工作結(jié)溫范圍：-65°C至+150°C

　　存儲溫度范圍：-65°C至+200°C

　　機械和封裝：

　　16引腳陶瓷DIP

　　重量：約2.09克

　　標(biāo)記：標(biāo)志、零件編號、日期代碼

　　引腳#1位于封裝頂部凹槽左側(cè)

　　電氣特性(每個二極管)@25°C，除非另有說明：

　　最大正向電壓VF1：100mA時

　　最大反向電流IR1：40V時

　　最大反向電流IR2：20V時

　　最大電容(引腳到引腳)Ct：0V時，1MHz頻率下

　　最大正向恢復(fù)時間tfr：100mA時

　　最大反向恢復(fù)時間trr：10mA直流電時，1mA直流電時，RL=100歐姆

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