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BFP196WH6327XTSA1低噪聲硅RF晶體管Infineon英飛凌

發(fā)布時間:2024-10-28 09:01:28     瀏覽:107

BFP196WH6327XTSA1低噪聲硅RF晶體管Infineon英飛凌

  BFP196WH6327XTSA1 是一款低噪聲硅射頻(RF)晶體管,專為需要高頻率和低噪聲放大的應用而設計。以下是該晶體管的一些關鍵特性和參數(shù):

  特征描述:

  1. 集電極電流范圍: 適用于集電極電流從20毫安(mA)至80毫安(mA)。

  2. 頻率范圍: 適用于頻率高達1.5吉赫茲(GHz)的天線和電信系統(tǒng)。

  3. 低噪聲和低失真: 適合寬帶放大器,如DECT(數(shù)字增強無繩通信)和PCN(個人通信網(wǎng)絡)系統(tǒng)的功率放大器。

  4. 頻率特性: 在900兆赫茲(MHz)下,其轉換頻率(fT)為7.5吉赫茲(GHz),噪聲系數(shù)(F)為1.3分貝(dB)。

  5. 環(huán)保: 無鉛,符合歐盟的RoHS(限制有害物質使用)標準。

  6. 認證: 根據(jù)汽車電子委員會(AEC)的AEC-Q101標準提供認證報告。

  潛在應用:

  1. 無線通信: 適用于無線通信設備。

  2. 射頻前端: 作為低噪聲放大器(LNA)使用。

  3. 其他應用: 適用于蜂窩電話、無繩電話、DECT、協(xié)調器、FM(調頻)和RF(射頻)調制解調器等多種應用。

  參數(shù):

  最大增益(Gmax): 在900MHz時為19分貝(dB)。

  最大集電極電流(IC): 150毫安(mA)。

  最小噪聲系數(shù)(NFmin): 在900MHz時為1.30分貝(dB)。

  三階互調截取點(OIP3): 在900MHz時為32分貝毫瓦(dBm)。

  1分貝壓縮點(OP1dB): 在900MHz時為19分貝毫瓦(dBm)。

  封裝類型: SOT343。

  最大集電極-發(fā)射極電壓(VCEO): 12伏特(V)。

  這款晶體管因其低噪聲和高增益特性,非常適合用于需要高線性和高效率的射頻放大器設計。

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