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  MICRON DDR4 內(nèi)存 2021-06-04 17:07:48

  MICRON? DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別：16位預(yù)取機(jī)制（DDR3為8位），在同樣內(nèi)核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠，數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環(huán)保節(jié)能。

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  TPSM82816降壓模塊（集成電感器）TI 德州儀器 2023-08-14 16:48:00

  TI德州儀器?TPSM82816是具備集成化電感器、管腳對管腳兼容的3A、4A和6A高效率、有利于選用的同步DC/DC降壓電源模塊產(chǎn)品中的一款。TPSM82816根據(jù)穩(wěn)固頻率最大電流模式控制拓?fù)洌m用于具備高功率密度和便捷性需求的電信、測試和檢測及其醫(yī)療服務(wù)應(yīng)用領(lǐng)域。