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  Linear Systems 3N190/3N191單片雙晶P溝道增強型MOSFET 2024-06-05 08:59:39

  3N190/3N191系列是雙P溝道增強型MOSFET，適用于非隔離POL電源和低壓驅動器應用。它們具有高開關頻率、高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、低電容，適合高速負載切換和模擬信號放大。與BJT相比，這些MOSFET在處理大電流時產(chǎn)生的熱量更少，有助于提高能效。它們適用于交換應用、放大電路、斬波電路等多種場合，并可作為Intersil產(chǎn)品的替代品。

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  用于廣播應用的Ampleon高壓RF LDMOS技術 2023-11-20 09:26:29

  我們提出了高壓(40-50 V) RF LDMOS技術，可在高達1.0 GHz的頻率下實現(xiàn)300-500 W的功率水平。該技術具有非常好的堅固性，一倍頻寬帶操作，可靠的電路匹配。