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Vishay SIS626DN-T1-GE3 N溝道25V MOSFET

發(fā)布時間：2024-05-16 09:31:15     瀏覽：309

　　Vishay Siliconix的SIS626DN-T1-GE3是一款N溝道25V MOSFET，它采用了TrenchFET技術(shù)，使得該MOSFET具有高效率和低導(dǎo)通電阻的特點。產(chǎn)品封裝為PowerPAK1212-8，并且適用于多種應(yīng)用，如適配器開關(guān)和負(fù)載開關(guān)，尤其是在高側(cè)開關(guān)功能中表現(xiàn)優(yōu)異。

Vishay SIS626DN-T1-GE3 N溝道25V MOSFET

　　產(chǎn)品特性方面，SIS626DN-T1-GE3在Vgs=10V時的漏源電壓(VDs)為25V，具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))，其值在不同Vgs條件下有所不同，例如在Vgs=10V時為0.0115Ω。此外，該MOSFET的柵極電荷(Qg Typ.)為16.9*100% Rg，柵極電流限制能力(Typ.)為16.9 A/μs，這些參數(shù)體現(xiàn)了其優(yōu)越的開關(guān)性能。

　　在絕對最大額定值方面，SIS626DN-T1-GE3在25°C下的連續(xù)漏極電流(ID)為15.1A，而在70°C下為11.7A。其脈沖漏極電流(IDM)可達(dá)32A，表明該MOSFET能夠處理較高的瞬態(tài)電流。此外，它還具有良好的熱性能，最大結(jié)到環(huán)境溫度的熱阻(RhJA)在典型和最大值下分別為28°C/W和34°C/W。

ABSOLUTE     MAXIMUM     RATINGS     (TA=25℃,unless     otherwise     noted)
PARAMETERSYMBOLLIMITUNIT
Drain-Source VoltageVDs25V
Gate-Source VoltageVas±12
Continuous Drain Current (Tj=150℃)Tc=25℃lp169A
Tc=70℃169
TA=25℃15.1 a,b
TA=70*℃11.7 a,b
Pulsed Drain Current (t =100 μsDM32
Continuous Source-Drain Diode CurrentTc=25 ℃ls169
TA=25℃3.1 a,b
Single Pulse Avalanche CurrentL=0.1  mHlAs20
Single Pulse Avalanche EnergyEAS20mJ
Maximum Power DissipationTc=25℃PD52W
Tc=70℃33
TA=25℃3.7 a,b
TA=70°℃2.4 a,b
Operating Junction and Storage Temperature RangeT」,Tst-55 to +150℃
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c,d
260

THERMAL       RESISTANCE       RATINGS
PARAMETERSYMBOLTYPICALMAXIMUMUNIT
Maximum Junction-to-Ambient a,et≤10 sJA2834C/W
Maximum Junction-to-Case (Drain)Steady StateC22.4

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